Typ tranzistora
N-MOSFET
Technológia
HEXFET®
Polarizácia
unipolárny
Napätie drain-source
60V
Prúd drainu
81A
Rozptýlenie energie
170W
Puzdro
TO220AB
Napätie gate-source
±20V
Odpor v zopnutom stave
12mΩ
Montáž
THT
Náboj hradla
86,6nC
Druh balenia
tuba
Druh kanálu
obohatený
Typ tranzistora
N-MOSFET
Technológia
HEXFET®
Polarizácia
unipolárny
Napätie drain-source
60V
Prúd drainu
81A
Rozptýlenie energie
170W
Puzdro
TO220AB
Napätie gate-source
±20V
Odpor v zopnutom stave
12mΩ
Montáž
THT
Náboj hradla
86,6nC
Druh balenia
tuba
Druh kanálu
obohatený
check_circle
check_circle